ME2306D-G دیتاشیت

ME2306D-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ME2306D-G
حجم فایل 82.217 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت ME2306D-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI ME2306D-G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.39W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.7nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 370pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 21pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V,6.7A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: MATSUKI

محصولات مشابه